Time- and Frequency-Domain Quasi-2D Small-Signal MOSFET Models Wiesław Kordalski, Tomasz Stefański, Damian Trofimowicz

(ebook) (audiobook) (audiobook)

Nowość

Time- and Frequency-Domain Quasi-2D Small-Signal MOSFET Models Wiesław Kordalski, Tomasz Stefański, Damian Trofimowicz - okladka książki

Time- and Frequency-Domain Quasi-2D Small-Signal MOSFET Models Wiesław Kordalski, Tomasz Stefański, Damian Trofimowicz - audiobook MP3

Time- and Frequency-Domain Quasi-2D Small-Signal MOSFET Models Wiesław Kordalski, Tomasz Stefański, Damian Trofimowicz - audiobook CD

Autorzy:: Wiesław Kordalski, Tomasz Stefański, Damian Trofimowicz
Wydawnictwo:: Politechnika Gdańska
Ocena:: Bądź pierwszym, który oceni tę książkę
Stron:: 122
Dostępny format:: PDF

Ebook

darmowy

Dodaj do koszyka Dostępny natychmiast po opłaceniu zakupu lub Kup na prezent Kup 1-kliknięciem

Przenieś na półkę

Do przechowalni

W książce przedstawiono nowe podejście do modelowania małosygnałowej pracy tranzystora MOS. Jego rezultatem są opracowania dwóch quasi-dwuwymiarowych, nie-quasi-statycznych, czterokońcówkowych modeli małosygnałowych MOSFET-a w dziedzinie czasu i częstotliwości. Opracowany quasi-dwuwymiarowy model w dziedzinie czasu stanowi podstawę matematyczno-fizyczną do wyprowadzenia quasi-dwuwymiarowego, nie-quasi-statycznego, czterokońcówkowego modelu małosygnałowego MOSFET-a w dziedzinie częstotliwości, uwzględniającego efekt DIBL (Drain-Induced Barrier Lowering).

Z przeprowadzonej analizy wynika, że dwa typy fal mogą propagować się w kanale tranzystora MOS: podłużna fala zaburzeń koncentracji nośników i poprzeczna fala zaburzeń grubości kanału. Wykazano, że moduły zespolonych transadmitancji bramki i podłoża są malejącymi funkcjami częstotliwości. Nowy małosygnałowy model MOSFET-a w dziedzinie częstotliwości został pozytywnie zweryfikowany eksperymentalnie aż do częstotliwości 30 GHz. Parametry modelu przyjmują realistyczne wartości. Małosygnałowy model częstotliwościowy może być stosowany od zera Hz do częstotliwości kilkakrotnie większej od fT. Każdy parametr modelu opisuje jakieś zjawisko fizyczne. Obydwa nowe modele małosygnałowe mogą być użyte do analizy scalonych układów mikroelektronicznych o dowolnej topologii, a także mogą być zaimplementowane w komercyjnych symulatorach układów elektronicznych.

This monagraph deals with modeling the small-signal operation of the MOS transistor, and presents original, not yet fully published, results of our research on time- and frequency- domain physics-based small-signal MOSFET models.

Wybrane bestsellery

Ebooka "Time- and Frequency-Domain Quasi-2D Small-Signal MOSFET Models" przeczytasz na:

czytnikach Inkbook, Kindle, Pocketbook, Onyx Booxs i innych
systemach Windows, MacOS i innych

systemach Windows, Android, iOS, HarmonyOS
na dowolnych urządzeniach i aplikacjach obsługujących formaty: PDF, EPub, Mobi

Masz pytania? Zajrzyj do zakładki Pomoc »

Oceny i opinie klientów: Time- and Frequency-Domain Quasi-2D Small-Signal MOSFET Models Wiesław Kordalski, Tomasz Stefański, Damian Trofimowicz

(0)

Szczegóły książki

ISBN Ebooka:: 978-83-734-8773-4, 9788373487734
Data wydania ebooka :: 2026-03-27 Data wydania ebooka często jest dniem wprowadzenia tytułu do sprzedaży i może nie być równoznaczna z datą wydania książki papierowej. Dodatkowe informacje możesz znaleźć w darmowym fragmencie. Jeśli masz wątpliwości skontaktuj się z nami sklep@helion.pl.
Rozmiar pliku Pdf:: 4.2MB

Zgłoś erratę
Kategorie:
Elektronika » Elektronika

Dostępność produktu

Produkt nie został jeszcze oceniony pod kątem ułatwień dostępu lub nie podano żadnych informacji o ułatwieniach dostępu lub są one niewystarczające. Prawdopodobnie Wydawca/Dostawca jeszcze nie umożliwił dokonania walidacji produktu lub nie przekazał odpowiednich informacji na temat jego dostępności.

Spis treści książki

CONTENTS

Selected list of symbols and acronyms 5

1. Introduction (W. Kordalski) 9

2. Quasi-2D representation of the MOSFET (W. Kordalski) 16

2.1. Introduction 16
2.2. 2D–into–quasi-2D transformation of the MOSFET 16
2.3. Conclusion 33

3. Time-domain model (W. Kordalski) 35

3.1. Introduction 35
3.2. MOSFET under small excitation 35
3.3. Quasi-2D continuity equation 38
3.4. Quasi-2D Poisson’s equations 44
3.5. Transport equation 47
3.6. Terminal currents 49
3.7. Gate-to-body capacitance Cgb 53
3.8. Supplementary equations and rules 61
3.9. Conclusion 63

4. Frequency-domain model (W. Kordalski) 65

4.1. Introduction 65
4.2. Formulation of time-domain equations 65
4.3. Quasi-2D frequency-domain analysis 70
4.4. DIBL-included model 73
4.5. Long-channel MOSFET model 89
4.6. Conclusion 89

5. Validation of the frequency-domain model (W. Kordalski, T. Stefański, D. Trofimowicz) 91

5.1. Introduction 91
5.2. Layout of the measured MOSFETs 91
5.3. Small-signal model of the measured MOSFETs 92
5.4. De-embedding procedure 93
5.5. Results of the verification up to fT 94
5.6. Results of the verification in the range of up to thirteen times fT 102
5.7. Conclusion 106

Summary in English 107
Summary in Polish 109

Appendix A. Derivation of quasi-2D continuity equation (W. Kordalski) 111
Appendix B. Derivation of quasi-2D Poisson’s equation (W. Kordalski) 114
Appendix C. Quasi-static small-signal conductance gds (W. Kordalski) 117
Appendix D. Finding the hole concentration p1 (ξ, jω) (W. Kordalski) 120
Appendix E. Finding the electric field E1 (ξ, jω) (W. Kordalski) 121

pokaż cały spis treści